[發(fā)布日期：2023-10-12 14:16:14] 點(diǎn)擊：
晶圓真空壓膜機(jī)通常是指在設(shè)備的真空模塊內(nèi)將干膜材料與基材進(jìn)行貼合，完成加熱壓膜動(dòng)作，常見的真空壓膜機(jī)通常都是采用單段加壓覆膜以及預(yù)貼膜的方式，但該方式對(duì)于表面具有許多細(xì)微凸凹結(jié)構(gòu)的晶圓(如高深寬比TSV孔洞、高密度Cu Pillar Bump等)無法滿足其高深寬比結(jié)構(gòu)的干膜填覆的晶圓級(jí)封裝需求;另外，先裁膜預(yù)貼合再熱壓的工藝，往往會(huì)導(dǎo)致無法完全排除的氣泡空洞現(xiàn)象。本文主要對(duì)高深寬比填覆工藝需求的真空壓膜機(jī)設(shè)備進(jìn)行一個(gè)技術(shù)對(duì)比，如有錯(cuò)誤之處，煩請指出修正。
Nikko的CVP系列真空壓膜系統(tǒng)配備預(yù)貼系統(tǒng)+真空貼膜(一次壓合)+熱壓整平(二次壓合)。常溫下，將干膜裁切，三點(diǎn)或五點(diǎn)預(yù)貼后進(jìn)行真空壓膜及整平;壓膜階段采用上下離型膜進(jìn)行傳輸，也能避免壓膜殘膠的影響;真空壓膜上腔使用氣囊或硅膠墊進(jìn)行壓膜，整平段使用鋼板進(jìn)行壓合。常溫常壓下，三點(diǎn)式預(yù)貼膜依舊會(huì)形成壓膜前氣泡。
Meiki的MVLP系列真空貼膜機(jī)可配備自動(dòng)切膜(直線切膜)+真空壓膜+熱壓整平。同樣基材需要先切膜貼膜后(圓形干膜需使用預(yù)切膜)，進(jìn)行真空壓膜;壓膜階段同樣采用上下離型膜進(jìn)行傳輸;真空壓膜下腔使用氣囊進(jìn)行壓膜，整平段無真空。此設(shè)備預(yù)貼膜所形成的氣泡影響會(huì)遠(yuǎn)大于Nikko三點(diǎn)預(yù)貼膜，真空壓膜階段很難再將氣泡排除完全。
C SUN的VL-A24真空壓膜機(jī)配備預(yù)貼機(jī)+真空壓膜。厚膜預(yù)切后需精準(zhǔn)對(duì)位貼膜，再進(jìn)行真空軟墊下壓膜。貼膜氣泡和高深寬比填覆效果有待提升。
增加預(yù)貼系統(tǒng)，設(shè)備構(gòu)造復(fù)雜，價(jià)格上并不具備優(yōu)勢;而真空下貼膜，還能大大降低貼膜氣泡的影響。
臺(tái)灣ELT的全自動(dòng)晶圓級(jí)真空壓膜機(jī)系統(tǒng)，區(qū)別于傳統(tǒng)使用滾輪壓式的貼膜機(jī)，創(chuàng)新采用真空貼膜+壓膜后切膜的專利技術(shù)。干膜先預(yù)鋪設(shè)(不與基材接觸)，腔體抽真空后進(jìn)行貼壓膜，配合以震蕩式軟性氣囊的多段熱壓作用，尤其適合晶圓表面具有凹凸起伏結(jié)構(gòu)圖案的貼壓膜制程。如：Flip Chip制程的NCF壓膜、Fan-out制程的Mold sheet壓膜以及3D-IC制程所需的TSV填孔等?？蓪?shí)現(xiàn)近乎完美無氣泡及業(yè)界最高深寬比(1:20)填充的貼壓膜;可兼容匹配8”及12”晶圓封裝工藝。內(nèi)部搭配自動(dòng)切割系統(tǒng)，壓膜后設(shè)備切割系統(tǒng)進(jìn)行裁膜，匹配多種干膜材料，還可擴(kuò)充壓膜腔體進(jìn)行二次表面整平壓合，無須另外加裝整平系統(tǒng)，節(jié)省成本。另外，手動(dòng)型號(hào)還可鋪設(shè)離型膜，可避免壓膜中所造成的殘膠影響。
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