[發(fā)布日期：2023-05-06 13:47:18] 點(diǎn)擊：
臺(tái)積電的庫(kù)存去化時(shí)間將比原先預(yù)期更長(zhǎng)。由于總體經(jīng)濟(jì)不佳和市場(chǎng)需求疲弱，庫(kù)存去化可能要到今年第三季才能結(jié)束。雖然受到庫(kù)存調(diào)整的持續(xù)影響，不含存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、晶圓代工產(chǎn)業(yè)以及臺(tái)積電本身的營(yíng)收都將衰退，但臺(tái)積電的表現(xiàn)仍將優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。
ChatGPT的走紅引起了AI風(fēng)潮，業(yè)界關(guān)注ChatGPT效應(yīng)是否有助于晶圓代工廠商的后續(xù)發(fā)展。魏哲家表示，ChatGPT確實(shí)對(duì)庫(kù)存去化有所幫助，但目前能預(yù)估市場(chǎng)前景的訂單數(shù)據(jù)還不夠多，無(wú)法給出明確預(yù)期。他希望在未來(lái)幾個(gè)季度里能看到更清晰的圖景。
聯(lián)電也下調(diào)了今年全球半導(dǎo)體和晶圓代工的展望。預(yù)估整體半導(dǎo)體景氣(不含存儲(chǔ)器)由原預(yù)估下滑低個(gè)位數(shù)(1%-3%)，下調(diào)至約衰退中個(gè)位數(shù)(4%-6%);晶圓代工產(chǎn)業(yè)年減中個(gè)位數(shù)(4%-6%)，也下調(diào)至高個(gè)位數(shù)衰退(7%-9%)。
聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，原本期待下半年景氣復(fù)蘇，但目前為止，還看不出任何強(qiáng)勁復(fù)蘇跡象，產(chǎn)業(yè)庫(kù)存去化速度比預(yù)期還慢。不過(guò)，聯(lián)電今年的資本支出仍將維持在30億美元不變，今年的產(chǎn)能預(yù)估仍將比去年增加5%。
針對(duì)未來(lái)公司布局，王石表示，聯(lián)電將持續(xù)專注于跨邏輯和特殊制程平臺(tái)的差異化方案，如eHV、RFSOI、BCD，以提升未來(lái)業(yè)務(wù)成長(zhǎng)，并擴(kuò)大在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的影響力。
臺(tái)灣ELT的全自動(dòng)晶圓級(jí)真空壓膜機(jī)系統(tǒng)，區(qū)別于傳統(tǒng)使用滾輪壓式的貼膜機(jī)，創(chuàng)新采用真空貼膜+壓膜后切膜的專利技術(shù)。干膜先預(yù)鋪設(shè)(不與基材接觸)，腔體抽真空后進(jìn)行貼壓膜，配合以震蕩式軟性氣囊的多段熱壓作用，尤其適合晶圓表面具有凹凸起伏結(jié)構(gòu)圖案的貼壓膜制程。如：Flip Chip制程的NCF壓膜、Fan-out制程的Mold sheet壓膜以及3D-IC制程所需的TSV填孔等?？蓪?shí)現(xiàn)近乎完美無(wú)氣泡及業(yè)界最高深寬比(1:20)填充的貼壓膜;可兼容匹配8”及12”晶圓封裝工藝。內(nèi)部搭配自動(dòng)切割系統(tǒng)，壓膜后設(shè)備切割系統(tǒng)進(jìn)行裁膜，匹配多種干膜材料，還可擴(kuò)充壓膜腔體進(jìn)行二次表面整平壓合，無(wú)須另外加裝整平系統(tǒng)，節(jié)省成本。另外，手動(dòng)型號(hào)還可鋪設(shè)離型膜，可避免壓膜中所造成的殘膠影響。
