[發(fā)布日期：2021-10-08 14:13:58] 點(diǎn)擊：
封裝的工序比較復(fù)雜，大概有十幾道工序，有磨片、劃片......磨片就是讓圓片背面減薄，適應(yīng)封裝需要;劃片就是通過金屬刀片，讓晶圓能夠一粒一粒地分割出來;裝片就是通過導(dǎo)電膠，讓芯片跟引線框固定起來;鍵合就是通過芯片的pad與框架之間實(shí)現(xiàn)電路導(dǎo)通;塑封就是把產(chǎn)品包裝起來。希望您在閱讀本文后有所收獲，歡迎在評(píng)論區(qū)發(fā)表見解和想法。
ELT封裝除泡機(jī)
IC Package (IC的封裝形式)Package--封裝體:
>指芯片(Die)和不同類型的框架(L/F)和塑封料(EMC)形成的不同外形的封裝體。
>lC Package種類很多，可以按以下標(biāo)準(zhǔn)分類:
·按封裝材料劃分為:
金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝
·按照和PCB板連接方式分為:
PTH封裝和SMT封裝
·按照封裝外型可分為:
soT、soIC、TsSoP、QFN、QFP、BGA、CSP等;
IC Package (IC的封裝形式)
陶瓷封裝
塑料封裝
金屬封裝
主要用于軍工或航天技術(shù)，無商業(yè)化產(chǎn)品;
陶瓷封裝優(yōu)于金屬封裝，也用于軍事產(chǎn)品，占少量商業(yè)化市場(chǎng);
塑料封裝用于消費(fèi)電子，因?yàn)槠涑杀镜?，工藝簡?可靠性高而占有絕大部分的市場(chǎng)份額;
IC Package (IC的封裝形式)
·按與PCB板的連接方式劃分為:
PTH-Pin Through Hole,通孔式;SMT-Surface Mount Technology，表面貼裝式。
目前市面上大部分IC均采為SMT式的
IC Package (IC的封裝形式)
·按封裝外型可分為:
soT 、QFN、soIC、TSSoP、QFP、BGA、CSP等;
封裝形式和工藝逐步高級(jí)和復(fù)雜
·決定封裝形式的兩個(gè)關(guān)鍵因素:
>封裝效率。芯片面積/封裝面積，盡量接近1:1;
引腳數(shù)。引腳數(shù)越多，越高級(jí)，但是工藝難度也相應(yīng)增加;
其中，CSP由于采用了Flip Chip技術(shù)和裸片封裝,達(dá)到了芯片面積/封裝面積=1:1，為目前*高級(jí)的技術(shù);
IC Package (IC的封裝形式)
·QFN—Quad Flat No-lead Package 四方無引腳扁平封裝
·solc—Small Outline lC小外形IC封裝
·TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package薄小外形封裝
·QFP—Quad Flat Package 四方引腳扁平式封裝
·BGA—Ball Grid Array Package球柵陣列式封裝
·CSP—Chip Scale Package芯片尺寸級(jí)封裝
Raw Material in Assembly(封裝原材料)
【W(wǎng)afer】晶圓
【Lead Frame】引線框架
>提供電路連接和Die的固定作用;
>主要材料為銅,會(huì)在上面進(jìn)行鍍銀、NiPdAu等材料:
>L/F的制程有Etch和Stamp兩種;
>易氧化，存放于氮?dú)夤裰?濕度小于40%RH;
>除了BGA和CSP外，其他Package都會(huì)采用Lead Frame,BGA采用的是Substrate;
Raw Material in Assembly(封裝原材料)
【lGold Wire】焊接金線
>實(shí)現(xiàn)芯片和外部引線框架的電性和物理連接;
>金線采用的是99.99%的高純度金:
>同時(shí)，出于成本考慮,目前有采用锏線和鋁線工藝的。優(yōu)點(diǎn)是成本降低，同時(shí)工藝難度加大,良率降低;
>線徑?jīng)Q定可傳導(dǎo)的電流;0.8mil,1.0mil，1.3mils,1.5mils和2.0mils;
Raw Material in Assembly(封裝原材料)
【Mold Compound】塑封料/環(huán)氧樹脂
>主要成分為:環(huán)氧樹脂及各種添加劑(固化劑,改性劑，脫模劑,染色劑,阻燃劑等);
>主要功能為:在熔融狀態(tài)下將Die和Lead Frame包裹起來，提供物理和電氣保護(hù),防止外界干擾:
>存放條件:零下5°保存，常溫下需回溫24小時(shí);
Raw Material in Assembly(封裝原材料)
【Epoxy】銀漿
>成分為環(huán)氧樹脂填充金屬粉末(Ag) ;
>有三個(gè)作用:將Die固定在Die Pad上;散熱作用，導(dǎo)電作用;
>-50°以下存放,使用之前回溫24小時(shí);
FOL- Back Grinding背面減薄
>將從晶圓廣出來的Wafer進(jìn)行背面研磨,來減薄晶圓達(dá)到封裝需要的厚度(8mils~10mils) ;
>磨片時(shí),需要在正面(Active Area)貼膠帶保護(hù)電路區(qū)域同時(shí)研磨背面。研磨之后,去除膠帶,測(cè)量厚度;
FOL- Wafer Saw晶圓切割
>將晶圓粘貼在藍(lán)膜(Mylar) 上，使得即使被切割開后，不會(huì)散落;
>通過Saw Blade將整片Wafer切割成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的Dice，方便后面的Die Attach等工序;
>Wafer Wash主要清洗Saw時(shí)候產(chǎn)生的各種粉塵，清潔Wafer;
FOL- Wire Bonding引線焊接Key Words:
Capillary:陶瓷劈刀。W/B工藝中*核心的一個(gè)Bonding Tool，內(nèi)部為空心，中間穿上金線，并分別在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第一和第二焊點(diǎn);
EFO:打火桿。用于在形成第一焊點(diǎn)時(shí)的燒球。打火桿打火形成高溫，將外露于Capillary前端的金線高溫熔化成球形，以便在Pad上形成第一焊點(diǎn)(Bond Ball) ;
Bond Ball:第一焊點(diǎn)。指金線在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接點(diǎn)，一般為一個(gè)球形;
Wedge:第二焊點(diǎn)。指金線在Cap的作用下，在Lead Frame上形成的焊接點(diǎn)，一般為月牙形(或者魚尾形)﹔
W/B四要素:壓力(Force)、超聲(USG Power) 、時(shí)間(Time) 、溫E( Tomneraturo ).
擴(kuò)展閱讀：
底部填充膠空洞除泡方法
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廣泛應(yīng)用于灌膠封裝，半導(dǎo)體黏著/焊接/印刷/點(diǎn)膠/封膠等半導(dǎo)體電子新能源電池等諸多領(lǐng)域，除泡烤箱眾多電子,半導(dǎo)體行業(yè)500強(qiáng)企業(yè)應(yīng)用案例。
